相关业内人士透露,于2020年成立的成都高真科技有限公司(以下简称“高真科技”)已完成19nm级8Gb LPDDR4产品的开发,预计在不久的将来可实现量产,这意味着中国DRAM芯片厂商在存储领域的核心技术攻关再获突破,也表明国内存储芯片“国产替代”进程正在加速进行中。
DRAM存储器是PC、手机、服务器等下游需求端产品的重要组成部分,同时也是数字基础设施不可或缺的核心产品。目前,全球DRAM主流市场主要被三星电子、SK海力士和美光科技垄断,并形成了较高的技术、品牌及市场壁垒。
在此背景下,高真科技成功研发出的19nm级8Gb LPDDR4产品在一定程度上填补了国内DRAM厂商在核心技术研发进程中的空白,同时也有助于提升国内DRAM厂商的竞争优势,为突破海外巨头对中国DRAM市场的垄断局面打下基础。
据了解,高真科技19nm级8Gb LPDDR4产品主要面向智能手机、可穿戴设备等移动数码产品。在下游消费市场逐步复苏的驱动下,该产品在实现量产后或将进一步赋能中国移动智能终端产品的发展,同时有望助力中国汽车产业智能化的发展。
值得一提的是,高真科技19nm级8Gb LPDDR4产品开发周期仅为10个月,远低于行业平均周期2-3年,成功实现了中国DRAM存储芯片制造领域的记录突破,与长鑫存储成为国内唯二的两家有能力实现主流DRAM产品一体化制造的厂商。
公开资料显示,高真科技是由真芯(北京)半导体有限责任公司与成都市政府合作设立的专注于DRAM存储芯片领域研发、生产和销售一体化的存储器制造商,公司实控人崔珍奭博士是目前韩国仅有的两名可以具备全半导体领域从研发到量产经验的半导体顶尖技术专家之一。崔珍奭博士曾在DRAM芯片领域全球三大巨头中的其中两家长期担任核心高管,其中,曾于三星电子任职常务董事、于SK海力士任职CTO及COO。
据悉,崔珍奭博士在SK海力士任职期间顺利帮助公司完成了在技术方面的快速升级,在不到2年的时间内将SK海力士公司的研发能力提升到与三星电子具备同等水平,并顺利主导了SK海力士中国无锡工厂的建立与成功运营。
凭借在全球半导体产业界享有的极高声誉和号召力,崔珍奭博士先后为高真科技引入200名拥有丰富行业经验的技术人才,其中,约50名核心人才在全球TOP级存储芯片制造企业任职时间超过25年并已在其中拥有较高的领导地位,同时熟练掌握了关于DRAM先进制程开发及良率提升的丰富经验与项目实现的全流程经验,对产品、技术、IP等有深度思考和规划。
高真科技也是国内稀缺的具有独立知识产权的半导体公司,其持有覆盖DRAM研发生产各环节的专利超过1000件;公司还拥有仅次于三星、海力士和美光的全球第四大1x制程DRAM技术平台,具备独立自主可控能力,有望帮助国内半导体产业破解核心技术“卡脖子”难题。
相关人士表示,中国半导体行业目前正处于“国产替代”关键时期,在着力破解核心技术“卡脖子”问题、产业链供应链安全自主可控成为共识的背景下,中国需要一批类似高真科技、在半导体细分领域中技术领先且具备核心竞争优势的企业共同为推动中国存储芯片自主可控研发进程、帮助中国半导体产业攻破技术难题贡献力量。
