12月6日至10日，全球半导体器件领域的顶级学术盛会——国际电子元件会议（IEDM）将于美国旧金山召开。在早前公布的2025年IEDM论文入选名单中，北京大学以21篇入选论文连续五年位居全球高校榜首；而在产业界，国内DRAM龙头企业长鑫存储表现同样瞩目，凭借“3D FeRAM”与“后端工艺集成的多层堆叠DRAM架构”两项突破性研究成果成功入选，论文数量位列国内企业第一。
IEDM始于1955年，素有半导体界的“奥林匹克”之称，在学术与产业层面均具重大影响力。会议涵盖CMOS晶体管、先进存储器、传感器等多个前沿方向，是全球半导体技术演进的重要风向标。
长鑫存储本次入选的成果之一，为基于单片集成堆叠式铁电电容的3D FeRAM方案。该结构利用铁电材料的非易失特性，在单元层面实现数据断电保存，并结合三维堆叠工艺显著提升存储密度，具备接近DRAM的读写速度与近似NAND的低功耗特性，被视为极具潜力的新型存储路径。
另一项突破，为全球首个BEOL（后端工艺）集成的多层DRAM架构。该技术基于IGZO沟道晶体管实现，已在性能与可靠性优化方面取得关键进展，为未来DRAM的性能拓展提供了新的发展方向。
扎实的研发积累持续赋能产品演进。目前，长鑫存储已构建起涵盖DDR4、DDR5、LPDDR4X、LPDDR5及LPDDR5X的完整产品体系。
今年10月，公司推出LPDDR5X系列产品，提供12Gb/16Gb容量选项，最高速率达10667Mbps，跻身国际主流水平。与上一代LPDDR5相比，其速率提升66%，功耗降低30%，并可实现兼容替代。据悉，长鑫正研发0.58mm超薄LPDDR5X芯片，未来成功量产后有望成为全球最薄的DRAM产品。
在标准内存领域，长鑫存储于11月23日发布新一代DDR5产品，最高速率达8000Mbps，最大颗粒容量24Gb，并同步推出UDIMM、SODIMM、CUDIMM、CSODIMM、RDIMM、MRDIMM、TFF MRDIMM等七大模组类型，全面覆盖服务器、工作站与个人电脑等应用场景，展现出与国际一线厂商同台竞技的技术实力。
市场研究机构Counterpoint预测，2026年主要芯片厂商的DRAM产量增幅将超过20%。其研究总监MS Hwang指出：“长鑫存储有望带来超预期表现。”公开信息显示，长鑫存储已于今年10月通过上市辅导验收。分析认为，其多元化产品线与本土化深耕的积淀，将助力公司充分把握行业增长机遇，在资本市场持续释放价值。
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