全球半导体产业正经历以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为核心的第三代材料技术迭代，碳化硅和氮化镓已成为破解新能源领域能源效率瓶颈的关键器件。在此产业发展机遇期，天域半导体即将登陆资本市场，这既是企业发展历程中的重要里程碑，更为资本市场提供了布局硬科技赛道的优质标的。
赛道龙头地位稳固，技术实力获国际认可
随着碳化硅在电动汽车、AI算力基建等领域的快速渗透，天域半导体正迎来前所未有的发展机遇。全球碳化硅功率半导体器件市场规模预计将从2024年的32亿美元增长至2029年的158亿美元，复合年增长率达37.3%。中国市场的增速更为迅猛，同期复合年增长率预计达41.7%。抛开传统的电动汽车市场，在AI算力需求爆发增长的今天，碳化硅凭借其优异的物理特性在AI领域起到无可替代的作用。据悉，天域半导体早在2014年就成功研制出十千伏级的外延材料，打破了当时海外的垄断，并且也是目前全球范围内少数掌握此技术的碳化硅外延企业。相信在未来，天域半导体将成为碳化硅材料在AI领域供给的主力军。
目前，天域半导体在中国碳化硅外延片市场的收入和销量均排名第一，市场占有率分别达到30.6%和32.5%；在全球则分别为6.7%及7.8%，位列前三。公司的技术实力已获得英飞凌、安森美等国际顶尖客户认可，产品成功进入全球领先整合器件制造商的供应链体系。
估值横向对比显优势，价值洼地特征明显
天域半导体此次发行预计市值约为220亿港元，通过与同行业公司深入对比分析，可以发现这一估值实则具备显著优势。首先，与已上市公司对比估值吸引力突出。目前港股上市的第三代半导体氮化镓概念公司——英诺赛科2024年仍处于亏损状态，难以用传统估值指标衡量，但总市值按照最新港股收盘日计算，约为629亿港元；而A+H股的碳化硅衬底公司天岳先进按照最新港股收盘日的动态市盈率，则高达678倍，即使是按照2024年的平均静态市盈率，亦达到189倍，总市值约276亿港元。碳化硅衬底和外延在整个碳化硅产业链的价值链占比超60%，因此天域半导体的预计市值相较同行处于价值洼地，仍有较大的上升空间。
其次，与未上市公司对比估值更为理性。同业公司瀚天天成在2024年12月完成的Pre-IPO轮融资中，估值已超过260亿元人民币，且仍受到众多机构追捧。天域半导体作为行业排名前列的企业，当前220亿港元（约200亿元人民币）的发行估值，相较瀚天天成存在明显折价。
港股特有机制与基本面支撑，投资价值多维保障
值得注意的是，天域半导体采用公开发售占比10%的B机制发行策略，港股B机制的特征为公司上市后表现提供了独特支撑。历史数据显示，港股市场中具有稀缺性的科技公司，在B机制下往往能获得更高的市场关注度和资金追捧。
同时，公司设置的15%绿鞋机制为股价稳定提供了有力保障。这一机制允许承销商在上市初期股价破发时入场买入支撑股价，有效缓冲下行风险，为投资者提供了额外的安全边际。
从基本面看，公司的核心竞争力为其估值提供了坚实支撑。天域半导体的生产总部截至2025年5月30日的产能利用率接近60%，较2024年显著提升，直接反映出当前的供需格局紧张，本次IPO募资大部分将用于扩产恰逢其时。更重要的是，公司正积极把握碳化硅行业向8英寸升级的历史性机遇，产品结构优化将显著提升盈利能力和估值水平。
天域半导体作为中国碳化硅材料领域的领军企业，在当前估值水平下具备显著投资价值。通过与同行业公司对比，公司发行估值存在明显优势；基于未来业绩增长的估值测算显示巨大上行空间；港股特有机制和公司基本面为投资价值提供了多维保障。
在半导体自主可控国家战略与全球能源革命的双重驱动下，天域半导体不仅有望在上市后实现价值重估，而且是投资者参与中国第三代半导体产业崛起的历史性机遇，值得重点把握。
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